SIC kaetud vahvli kandja söövitamiseks

SIC -kattega vahvli kandja põhilised rakendused söövitusprotsessis

1. GAN -kile kasv ja söövitus LED -tootmises

SIC -kattega kandjaid (näiteks PSS -söövitavat kandjat) kasutatakse safiiri substraatide (mustriline safiirsubstraadi, PSS) toetamiseks LED -tootmisel ja kõrgetel temperatuuridel Gallium nitriidi (GAN) kilede keemilise aurude (MOCVD) keemilise ladestumise (MOCVD) teostamiseks. Seejärel eemaldatakse kandur niiske söövitamisprotsessi abil, et moodustada pinna mikrostruktuur, et parandada valguse ekstraheerimise efektiivsust.

Võtmeroll: Vahvli kandja peab taluma temperatuuri kuni 1600 ° C ja keemiline korrosioon plasma söövituskeskkonnas. Kõrge puhtus (99,99995%) ja SIC -katte tihedus takistavad metalli saastumist ja tagavad GAN -kile ühtluse.

2. pooljuhtide plasma/kuiv söövitusprotsess

SisseICP (induktiivselt ühendatud plasma) söövitus, SIC -ga kaetud kandjad saavutavad optimeeritud õhuvoolu disaini (näiteks laminaarse voolurežiimi) ühtlase soojuse jaotuse, väldivad lisandite hajumist ja parandavad söövitamise täpsust. Näiteks Veteksemiconi SIC-i kaetud ICP söövitus kandja talub sublimatsioonitemperatuuri 2700 ° C ja sobib suure energiatarbega plasmakeskkonda.

3. Päikeseelementide ja elektriseadmete tootmine

SIC-kandjad toimivad hästi temperatuuril difusioonis ja räni vahvlite söövitamisel fotogalvaanilisel väljal. Nende madal soojuspaisumistegur (4,5 × 10⁻⁶/K) vähendab soojuspinge põhjustatud deformatsiooni ja pikendab kasutusaega.

SIC -kattega vahvli kandja füüsikalised omadused ja eelised söövitamiseks

1. tolerants äärmuslike keskkondade suhtes:

Kõrge temperatuuri stabiilsus:CVD SIC katminesaab töötada pikka aega 1600 ° C õhus või 2200 ° C vaakumkeskkonnas, mis on palju suurem kui traditsioonilised kvarts- või grafiidikandjad.

Korrosiooniresistentsus: SIC -l on suurepärane vastupidavus hapete, leeliste, soolade ja orgaaniliste lahustite suhtes ning sobib pooljuhtide tootmisliinideks, millel on sagedane keemiline puhastus.

2. termilised ja mehaanilised omadused:

Kõrge soojusjuhtivus (300 mass/mk): kiire soojuse hajumine vähendab termilisi gradiente, tagab vahvli temperatuuri ühtluse ja väldib kile paksust kõrvalekaldet.

Kõrge mehaaniline tugevus: paindetugevus ulatub 415 MPa (toatemperatuur) ja see hoiab kõrgel temperatuuril endiselt üle 90%, vältides kandja pragunemist või delaminatsiooni.

Pinna viimistlus: SSIC (rõhuga paagutatud räni karbiidil) on madal pinna karedus (<0,1 μm), vähendades osakeste saastumist ja parandades vahvli saaki.

3. Materjali sobitamise optimeerimine:

Madal soojuspaisumise erinevus grafiidi substraadi ja SIC -katte vahel: katteprotsessi (näiteks gradiendi sadestumise) kohandamise kaudu väheneb liidese pinge ja kattekihil takistatakse koorimist.

Suur puhtus ja madalad defektid: CVD -protsess tagab katte puhtuse> 99,9999%, vältides metalliioonide saastumist tundlike protsesside (näiteks SIC -toiteseadme tootmisega).

SiisC CVD sic -katte füüsikalised omadused

CVD sic -kattekile kristallstruktuur

Vet Sexemiconi poed