Wafer Substrate on pooljuht monokristallmaterjalist valmistatud vahvel. Substraat võib pooljuhtseadmete tootmiseks siseneda otse vahvli tootmisprotsessi või töödelda seda epitaksiaalse protsessi abil epitaksiaalsete vahvlite tootmiseks.
Wafer Substrate kui pooljuhtseadmete põhiline tugistruktuur mõjutab otseselt seadmete jõudlust ja stabiilsust. Pooljuhtseadmete tootmise alusena tuleb substraadil läbi viia mitmeid tootmisprotsesse, nagu õhukese kile kasvatamine ja litograafia.
Substraaditüüpide kokkuvõte
- Ühekristalliline räniplaat: praegu kõige levinum substraatmaterjal, mida kasutatakse laialdaselt integraallülituste (IC-de), mikroprotsessorite, mälude, MEMS-seadmete, toiteseadmete jms valmistamisel;
- SOI substraat: kasutatakse suure jõudlusega väikese võimsusega integraallülituste jaoks, nagu kõrgsageduslikud analoog- ja digitaalskeemid, RF-seadmed ja toitehalduskiibid;
- Liitpooljuhtsubstraadid: galliumarseniidsubstraat (GaAs): mikrolaine- ja millimeeterlaine sideseadmed jne. Galliumnitriidsubstraat (GaN): kasutatakse RF-võimsusvõimendite, HEMT jne jaoks. Ränikarbiidi substraat (SiC): kasutatakse elektrisõidukites, võimsusmuundurites ja muudes toiteseadmetes. Indiumlaser-, fotofosfiid-, fosfiid-substraat jne;
- Safiir-substraat: kasutatakse LED-i tootmiseks, RFIC-iks (raadiosageduslik integraallülitus) jne;
Vetek Semiconductor on professionaalne SiC substraadi ja SOI substraadi tarnija Hiinas. Meie 4H poolisoleerivat tüüpi SiC substraati ja 4H poolisoleerivat tüüpi SiC substraati kasutatakse laialdaselt pooljuhtide tootmisseadmete põhikomponentides.
Vetek Semiconductor on pühendunud täiustatud ja kohandatavate Wafer Substrate toodete ja erinevate spetsifikatsioonidega tehniliste lahenduste pakkumisele pooljuhtide tööstusele. Ootame siiralt teie Hiina tarnijaks saamist.
Põhifunktsioonid
- Professionaalne SiC substraatide (4H N-tüüpi ja poolisolatsiooniga) ja SOI substraatide tarnija jõu-, raadiosagedus- ja täiustatud IC-rakenduste jaoks.
- Lai substraadiportfell, mis hõlmab räni, liitpooljuhte (SiC, GaN, GaAs, InP), safiiri ja spetsiaalseid vahvleid (PZT, SiN, näivplaadid).
- Materjali kõrge kvaliteet ja protsessi järjepidevus sobib epitaksiaalseks kasvuks, seadme valmistamiseks ja seadmete protsesside juhtimiseks.
- Kohandatavad spetsifikatsioonid ja tehnilised lahendused, mis on kohandatud erinevatele pooljuhtide tootmise nõuetele.
- Usaldusväärne Hiina-põhine tarnimine koos rakenduste inseneri toega toiteseadmete, MEMS-i, LED-i, RF- ja termilise protsessi tööriistade jaoks.
Tootekategooriad
- SiC substraadid: 4H N-tüüpi ja poolisolatsiooniga SiC vahvlid toiteseadmete ja raadiosageduslike rakenduste jaoks
- SOI substraadid: Silicon-on-Isolator vahvlid suure jõudlusega, väikese võimsusega IC-de ja RF-seadmete jaoks
- Spetsiaalsed / protsessivahvlid: CVD SiC-ga kaetud näivplaadid, SiN-substraadid, PZT-piesoelektrilised vahvlid Si/SOI-l
- Muud liit-/safiir-substraadid: toetavad LED-, RF- ja optoelektroonilisi rakendusi (nagu on ülevaates viidatud)
Rakendused
Pooljuhtide tootmise erinevate vajaduste rahuldamiseks pakub VeTek sihipäraseid Wafer Substrate tooteid. Järgmises tabelis on need klassifitseeritud peamiste rakendusvaldkondade järgi:
| Rakendusväli |
Tüüpilised tooted |
Rakenduse kirjeldus |
| Toiteseadmed ja elektrisõidukid |
4H-SiC substraadid (N-tüüpi / poolisolatsiooniga) |
Ränikarbiidist substraadid jõumuunduritele, elektrisõidukitele ja kõrgepingeseadmetele, mis nõuavad kõrget temperatuuri ja suure tõhususega jõudlust. |
| RF / kõrgsageduslikud IC-d |
SOI substraadid, GaN / GaAs-ga seotud substraadid, poolisoleeriv SiC |
Suure jõudlusega madala võimsusega substraadid raadiosagedusseadmetele, võimsusvõimenditele, HEMT-dele ja kõrgsageduslikele analoog-/digitaalskeemidele. |
| MEMS ja andurid |
PZT piesoelektrilised vahvlid (PZT Si/SOI peal), SiN substraadid |
Piesoelektrilised ja ülitugevad substraadid MEMS-muundurite, andurite, 5G, meditsiiniliste ja kantavate seadmete jaoks, mis vajavad elektromehaanilist muundamist. |
| Protsessi juhtimine ja testimine |
CVD SiC kate Dummy vahvel |
Näidikud ja katseplaadid seadmete kvalifitseerimiseks, protsesside jälgimiseks ja saastumise kontrollimiseks pooljuhtide tootmisliinides. |
| LED / Optoelektroonika |
Safiirsubstraadid, liitpooljuhtsubstraadid (InP jne) |
Substraadid LED-tootmiseks, laserid, fotodetektorid ja RFIC-rakendused, mis nõuavad optilist ja kõrgsageduslikku jõudlust. |
| Täiustatud IC / loogika ja mälu |
Ühekristallilised räniplaadid, SOI substraadid |
Peamised ja täiustatud substraadid integraallülituste, mikroprotsessorite, mälude ja toitehalduskiipide jaoks. |
Üksikasjalikumad protsesside sobitamise lahendused leiate aadressiltRänikarbiidi epitaksyjaRäni epitaksiaseotud leheküljed.
Professionaalse vahvlitootja ja tarnijana Hiinas on meil oma tehas. Olenemata sellest, kas vajate oma piirkonna spetsiifiliste vajaduste rahuldamiseks kohandatud teenuseid või soovite osta täiustatud ja vastupidavat Hiinas valmistatud vahvlit, saatejäta meile sõnum.
