Vahvli substraaton pooljuht monokristallmaterjalist valmistatud vahvel. Substraat võib pooljuhtseadmete tootmiseks siseneda otse vahvli tootmisprotsessi või töödelda seda epitaksiaalse protsessi abil epitaksiaalsete vahvlite tootmiseks.
Vahvli substraat kui pooljuhtseadmete põhiline tugistruktuur mõjutab otseselt seadmete jõudlust ja stabiilsust. Pooljuhtseadmete tootmise alusena tuleb substraadil läbi viia mitmeid tootmisprotsesse, nagu õhukese kile kasvatamine ja litograafia.
Substraaditüüpide kokkuvõte:
●Ühekristalliline räni vahvel: praegu kõige levinum substraatmaterjal, mida kasutatakse laialdaselt integraallülituste (IC-de), mikroprotsessorite, mälude, MEMS-seadmete, toiteseadmete jms valmistamisel;
●SOI substraat: kasutatakse suure jõudlusega väikese võimsusega integraallülituste jaoks, nagu kõrgsageduslikud analoog- ja digitaalskeemid, RF-seadmed ja toitehalduskiibid;
●Liitpooljuhtsubstraadid: Galliumarseniidi substraat (GaAs): mikrolaine- ja millimeeterlaine sideseadmed jne Galliumnitriidsubstraat (GaN): kasutatakse RF võimsusvõimendite, HEMT jne jaoks.Ränikarbiidsubstraat (SiC): kasutatakse elektrisõidukites, toitemuundurites ja muudes jõuseadmetes Indium fosfiidsubstraat (InP): kasutatakse laserite, fotodetektorite jne jaoks;
●Safiirist substraat: kasutatakse LED-i tootmiseks, RFIC (raadiosageduslik integraallülitus) jne;
Vetek Semiconductor on professionaalne SiC substraadi ja SOI substraadi tarnija Hiinas. Meie4H poolisolatsiooni tüüpi SiC substraatja4H poolisolatsioonitüüpi SiC substraatkasutatakse laialdaselt pooljuhtide tootmisseadmete põhikomponentides.
Vetek Semiconductor on pühendunud täiustatud ja kohandatavate Wafer Substrate toodete ja erinevate spetsifikatsioonidega tehniliste lahenduste pakkumisele pooljuhtide tööstusele. Ootame siiralt, et saame teie tarnijaks Hiinas.
