VeTek Semiconductoril on eelised ja kogemused MOCVD Technology varuosade osas.
MOCVD, metalli-orgaanilise keemilise aurustamise-sadestamise (metal-orgaaniline keemiline aurustamine-sadestamine) täisnime, võib nimetada ka metallorgaaniliseks aurufaasi epitaksiks. Metallorgaanilised ühendid on metall-süsinik sidemetega ühendite klass. Need ühendid sisaldavad vähemalt ühte keemilist sidet metalli ja süsinikuaatomi vahel. Metallorgaanilisi ühendeid kasutatakse sageli lähteainetena ja need võivad erinevate sadestamismeetodite abil moodustada substraadile õhukesi kilesid või nanostruktuure.
Metallorgaaniline keemiline aurustamine-sadestamine (MOCVD-tehnoloogia) on levinud epitaksiaalse kasvu tehnoloogia, MOCVD-tehnoloogiat kasutatakse laialdaselt pooljuhtlaserite ja LED-ide valmistamisel. Eriti LED-ide valmistamisel on MOCVD võtmetehnoloogia galliumnitriidi (GaN) ja sellega seotud materjalide tootmiseks.
Epitaksial on kaks peamist vormi: vedelfaasi epitaksia (LPE) ja aurufaasi epitaksia (VPE). Gaasifaasi epitaksika võib veel jagada metallorgaaniliseks keemiliseks aurustamise-sadestamiseks (MOCVD) ja molekulaarkiirepitaksiks (MBE).
Välismaistest seadmetootjatest on peamiselt esindatud Aixtron ja Veeco. MOCVD süsteem on üks võtmeseadmeid laserite, LEDide, fotoelektriliste komponentide, toite-, raadiosagedusseadmete ja päikesepatareide tootmiseks.
Meie ettevõtte toodetud MOCVD-tehnoloogia varuosade peamised omadused:
1) Suur tihedus ja täielik kapseldamine: grafiidist alus tervikuna on kõrgel temperatuuril ja söövitavas töökeskkonnas, pind peab olema täielikult mähitud ja kattekihil peab olema hea tihedus, et täita head kaitsefunktsiooni.
2) Hea pinnatasasus: kuna monokristallide kasvatamiseks kasutatav grafiitalus nõuab väga kõrget pinnatasasust, tuleks pärast katte valmistamist säilitada aluse esialgne tasasus, see tähendab, et kattekiht peab olema ühtlane.
3) Hea nakketugevus: vähendage grafiitaluse ja kattematerjali soojuspaisumise koefitsiendi erinevust, mis võib tõhusalt parandada nende kahe sidumistugevust ning katet ei ole pärast kõrge ja madala temperatuuriga kuumust kerge puruneda. tsükkel.
4) Kõrge soojusjuhtivus: kvaliteetne laastude kasv eeldab, et grafiidist alus tagab kiire ja ühtlase kuumuse, seega peaks kattematerjalil olema kõrge soojusjuhtivus.
5) Kõrge sulamistemperatuur, kõrge temperatuuriga oksüdatsioonikindlus, korrosioonikindlus: kate peaks suutma stabiilselt töötada kõrgel temperatuuril ja söövitavas töökeskkonnas.
Vetek Semiconductor valmistab VEECO MOCVD-süsteemidele mõeldud vahvlikandjaid, mis on ehitatud spetsiaalselt LED-epitaksitöö jaoks, nagu GaN LED-id, sinakasrohelised LED-id ja sügava UV-LED-i kasvu. Need kandurid algavad kõrge puhtusastmega grafiidist ja saavad tiheda CVD ränikarbiidi (SiC) katte. See kombinatsioon peab hästi vastu ka kõrgetel temperatuuridel, mida näete MOCVD-s – hea termiline stabiilsus, korrosioonikindlus ja kate kestab.
VETEK MOCVD SiC Coated Susceptor on täpselt konstrueeritud kandelahendus, mis on spetsiaalselt välja töötatud LED- ja liitpooljuhtide epitaksiaalseks kasvuks. See näitab erakordset termilist ühtlust ja keemilist inertsust keerukates MOCVD keskkondades. Kasutades ära VETEKi ranget CVD-sadestamise protsessi, oleme pühendunud vahvlite kasvu järjepidevuse suurendamisele ja põhikomponentide kasutusea pikendamisele, pakkudes stabiilse ja usaldusväärse jõudluse tagamise iga teie pooljuhtide tootmise partii jaoks.
Meie SIC -i kaetud planeetide vastuvõtja on pooljuhtide tootmise kõrge temperatuuriprotsessi põhikomponent. Selle disain ühendab grafiidisubstraadi räni karbiidi kattega, et saavutada soojusjuhtimise jõudluse, keemilise stabiilsuse ja mehaanilise tugevuse põhjalik optimeerimine.
SIC -kaetud sügava UV -LED -osutaja on loodud MOCVD protsessi jaoks, et toetada tõhusat ja stabiilset sügavat UV -LED -epitaksiaalse kihi kasvu. Vetek Semiconductor on Hiinas juhtiv SIC -i kaetud UV -LED -osutaja tootja ja tarnija. Meil on rikkalik kogemus ja oleme loonud pikaajalised koostöösuhted paljude LED-epitaksiaalsete tootjatega. Oleme LED-ide osutajate toodete kodumaise tootja. Pärast aastatepikkust kontrollimist on meie toote eluiga võrdne rahvusvaheliste tootjate omaga. Ootan teie järelepärimist.
VeTek Semiconductori LED Epitaxy sustseptor on mõeldud sinise ja rohelise LED-epitaksiaalseks tootmiseks. See ühendab ränikarbiidkatte ja SGL-grafiidi ning sellel on kõrge kõvadus, madal karedus, hea termiline stabiilsus ja suurepärane keemiline stabiilsus. LED Epitaxy susceptor on üks VeTek Semiconductori silmapaistvamaid tooteid. Ootame teie päringut.
Vetek Semiconductori Veeco LED EPI -osutaja on mõeldud punaste ja kollaste LED -de epitaksiaalse kasvu jaoks. Täiustatud materjalid ja CVD SIC -katetehnoloogia tagavad osutaja termilise stabiilsuse, muutes temperatuurivälja kasvu ajal ühtlaseks, vähendades kristallidefekte ning parandades epitaksiaalsete vahvlite kvaliteeti ja järjepidevust. See ühildub Veeco epitaksiaalse kasvu seadmetega ja seda saab sujuvalt integreerida tootmisliinile. Täpne disain ja usaldusväärne jõudlus aitavad tõhusust parandada ja kulusid vähendada. Ootan teie järelepärimisi.
Professionaalse MOCVD tehnoloogia tootja ja tarnijana Hiinas on meil oma tehas. Kas vajate kohandatud teenuseid oma piirkonna konkreetsete vajaduste rahuldamiseks või soovite osta täiustatud ja vastupidavat Hiinas valmistatud MOCVD tehnoloogia, võite meile sõnumi jätta.
Kasutame küpsiseid, et pakkuda teile paremat sirvimiskogemust, analüüsida saidi liiklust ja isikupärastada sisu. Seda saiti kasutades nõustute meie küpsiste kasutamisega.Privaatsuspoliitika
