SIC -kaetud planeetide vastuvõtja

SIC -i kaetud planeedide vastuvõtja on planeedi kandja, mis on kaetudRänikarbiid (sic), mida kasutatakse peamiselt pooljuhtmaterjali ladestumisprotsessides, näiteks metalli-orgaanilise keemilise aurude sadestumise (MOCVD), molekulaarkiire epitaksia (MBE) jne. Selle peamine funktsioon on vahvlite kandmine ja pööramine, et tagada materiaalse ühtluse ja soojusvälja konsistents ladestumisprotsessis. Selle peamine funktsioon on vahvlite kandmine ja pööramine, et tagada materiaalse ühtluse ja soojusevälja konsistents sadestumise ajal ning SIC-kattekiht annab kandjale suurepärase kõrge temperatuuri vastupidavuse, korrosioonikindluse ja soojusjuhtivuse ülitäpse pooljuhi jaoksvahvltöötlemine.

SIC -i kaetud planeetide vastuvõtja põhirakenduse stsenaariumid

MOCVD epitaksiaalne kasvuprotsess

MOCVD -protsessis kasutatakse SIC -i kaetud planeetide vastuvõtjat peamiselt räni (Si), räni karbiidi (sic), galliumnitriidi (GAN), gallium -arseniidi (GAA -de) ja muude materjalide kandmiseks.

● Funktsionaalsed nõuded: Vahvlite täpne positsioneerimine ja sünkroniseeritud pöörlemine, et tagada auruga kaetud materjalide ühtlane jaotus vahvli pinnale ning suurendada kile paksuse ja kompositsiooni ühtlust.

● Eelis: SIC-katted on väga korrosioonikindlad ja taluvad väga reaktiivsete metall-orgaaniliste eelkäijate, näiteks trimetüülgallium (TMGA) ja trimetüülindiumi (TMIN) erosiooni, pikendades nende kasutust.

Ränikarbiidi (sic) toiteseadme tootmine

SIC -i kaetud planeedide vastuvõtjat kasutatakse laialdaselt SIC -elektriseadmete, näiteks MOSFET, IGBT, SBD ja muude seadmete epitaksiaalses kasvus.

● Funktsionaalsed nõuded: Pakkuge stabiilset termilist võrdsustamisplatvormi kõrge temperatuuriga keskkonnas, et tagada epitaksiaalse kihi kristalliseerumise kvaliteet ja defektide kontroll.

● Eelis: SIC-katted on kõrge temperatuuri suhtes (> 1600 ° C) ja neil on soojuspaisumistegur (4,0 × 10^-6 K^-1), mis on lähedal räni karbiidi vahvlitele, mis vähendab tõhusalt termilisi pingeid ja parandab epitaksiaalse kihi kvaliteeti ja stabiilsust.

Deep Ultraviolet (DUV) ja ultraviolett juhitud epitaksiaalse tootmine

SIC-i kaetud planeetide vastuvõtja sobib selliste materjalide nagu galliumnitriid (GAN) ja alumiiniumist galliumnitriid (ALGAN) epitaksiaalse kasvu jaoks ning seda kasutatakse laialdaselt UV-LED-de ja mikro LED-de tootmisel.

● Funktsionaalsed nõuded: Lainepikkuse täpsuse ja seadme jõudluse tagamiseks hoidke täpset temperatuuri juhtimist ja ühtset õhuvoolu jaotust.

● Eelis: Kõrge soojusjuhtivus ja oksüdatsiooniresistentsus võimaldavad pika tööperioodi jooksul suurel temperatuuril suurepärast stabiilsust, aidates parandada LED -kiipide helendavat tõhusust ja järjepidevust.

Valige vekeemion

Veteksemicon SIC -i kaetud planeedide vastuvõtja on oma ainulaadsete materiaalsete omaduste ja mehaanilise disaini kaudu näidanud asendamatuid eeliseid kõrgel temperatuuril, söövitava pooljuhtide tootmiskeskkonnas. Ja meie peamised planeedide vastuvõtjatooted on SIC -i kaetud planeedide vastuvõtja,ALD Planeetide vastuvõtja, TAC -katteplaneetide vastuvõtjaJa nii edasi. Samal ajal on Veteksemicon pühendunud kohandatud toodete ja tehniliste teenuste pakkumisele pooljuhtide tööstusele. Ootame siiralt, et saaksime Hiinas olla teie pikaajaline partner.