TAC -katteplaneetide vastuvõtja

Pooljuhtide tootmise valdkonnas mängib TAC -i katteplaneetide vastuvõtjat üliolulist rolli. Seda kasutatakse laialdaselt räni karbiidi (sic) epitaksiaalsete kihtide kasvu korral seadmetes nagu Aixtron G5 süsteem. Lisaks sellele, kui seda kasutatakse välise kettana tantaalkarbiid (TAC) katte sadestumisel sic epitaxy jaoks, pakub TAC -katteplaneedide vastuvõtja olulist tuge ja stabiilsust. See tagab tantaalkarbiidikihi ühtlase ladestumise, aidates kaasa kvaliteetsete epitaksiaalsete kihtide moodustumisele, millel on suurepärane pinna morfoloogia ja soovitud kile paksus. TAC -katte keemiline inerdus takistab soovimatuid reaktsioone ja saastumist, säilitades epitaksiaalsete kihtide terviklikkuse ja tagades nende parema kvaliteedi.

TAC -katte erakordne soojusjuhtivus võimaldab tõhusat soojusülekannet, soodustades temperatuuri ühtlast jaotust ja minimeerides soojuspinget epitaksiaalse kasvuprotsessi ajal. Selle tulemuseks on kvaliteetsete SIC epitaksiaalsete kihtide tootmine, millel on täiustatud kristallograafilised omadused ja täiustatud elektrijuhtivusega.

TAC -i katteplaneedi ketta täpsed mõõtmed ja tugev konstruktsioon muudavad olemasolevate süsteemidesse integreerimise hõlpsaks, tagades sujuva ühilduvuse ja tõhusa toimimise. Selle usaldusväärne jõudlus ja kvaliteetne TAC-kattekiht aitavad sic epitaxy protsesside järjepidevat ja ühtlast tulemust.

Usaldage Vetek Semiconductor ja meie TAC -i katteplaneetide ketas erakordse jõudluse ja usaldusväärsuse tagamiseks SIC epitaksias. Kogege meie uuenduslike lahenduste eeliseid, positsioneerides teid pooljuhttööstuse tehnoloogiliste edusammude esirinnas.