QR kood
Tooted
Võta meiega ühendust


Faks
+86-579-87223657


Aadress
Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi maakond, Jinhua linn, Zhejiangi provints, Hiina
Sobiva substraadi ja katte kombinatsiooni valimine on võti komponentide enneaegse rikke vältimiseks, osakeste saastumise vähendamiseks ja vahvlite saagise maksimeerimiseks. Pakume kohandatud materjali- ja konstruktsioonilahendusi vastavalt kliendi konkreetsele protsessiaknale (töötemperatuur, reaktiivgaasi keemia, rambikiirused).
| Katmine | Tüüpilised rakendusjuhised | Põhilised eelised |
|---|---|---|
| CVD SiC | Si/SiC epitaksia (Epi), MOCVD, osaline plasmasöövitus | Kõrge puhtusaste, hea termiline stabiilsus, keemiline korrosioonikindlus, kõrge üldine kulutasuvus |
| CVD TaC | Kõrge temperatuuriga SiC ühekristalli kasvu (PVT), äärmiselt kõrge temperatuuri kandvad komponendid | Kõrgem temperatuur (>1600 °C), tugev korrosioonikindlus, suurepärane oksüdatsioonikindlus |
Juhtiv SiC epitaksi (Epi) tootja:Algses komponendis kasutati sobimatut CVD TaC katet, mille tulemuseks oli liigne liidese pinge ja sagedased mikropraod kõrgel temperatuuril. Korraldasime termodünaamilised simulatsioonid ja läksime üle aCTE-ga sobitatud spetsiaalne kõrge puhtusastmega grafiidist substraat + puhverkiht + CVD SiC katelahendus. Tulemus: komponentide keskmine eluiga pikenes 200 tunnilt 850 tunnini; aastane vahetussagedus tööriista kohta langes 40-lt 9-le; kõikehõlmav seadmete O&M kulude kokkuhoid ületas 650 000 RMB aastas.
GDMS-i puhtuseanalüüsi aruanne TaC- ja SiC-katete kohta
V:Vaadake oma protsessi temperatuuri ja gaasifaasi korrosiooni intensiivsust. Kui protsessi temperatuur on alla 1000 °C ja hõlmab peamiselt Cl2/F2-põhist söövitamist või tavapärast epitaksikat, valigeCVD SiCparima kulutasuvuse saavutamiseks; kui protsessi temperatuur ületab 1200 °C ja hõlmab tugevalt söövitavat keskkonda (nt SiC PVT ühekristalli kasv), soovitameCVD TaC, mis pakub suurepärast temperatuuri- ja korrosioonikindlust. Saame pakkuda tasuta valikusoovitusaruannet, mis põhineb teie konkreetsetel protsessiparameetritel.
V:Jah! Pöördprojekteerimise prototüüpide puhulMOQ on 1 tükk. Tavaliste lihtsate osade puhul alates proovi vastuvõtmisest kuni kaardistatud osa kohaletoimetamiseni on kiireim teostusaeg ligikaudu10-15 tööpäeva; osade puhul, mis hõlmavad keerulisi katmisprotsesse, on see ligikaudu20-25 tööpäeva. Kiireks hindamiseks võtke ühendust meie inseneridega.
V:90% delaminatsiooni juhtudest on põhjustatud grafiidist substraadi ja katte soojuspaisumisteguri (CTE) mittevastavusest, mis põhjustab kiirel kuumutamisel/jahutamisel väsimusest koorumist. Meie lahendus: esmalt mõõtke täpselt oma algse detaili CTE-kõverat, seejärel reguleerige spetsiaalselt substraadi tihedust ja sadestamistemperatuuri gradienti nii, et need kaks CTE-d oleksid omavahel väga kooskõlas. Sideme tugevust saab parandada rohkem kui1,5 kordatööstuse tavapärasel tasemel.
V:Igal tarnitud tootel on standardvarustuses aainulaadne seerianumber + täielik CoA aruanne. Aruanne sisaldab: kriitilise mõõtme CMM-i kontrolliandmeid, kattekihi paksuse mitme punkti jaotuse kaarti, pinnakareduse (Ra) väärtusi ja materjali puhtuse (GDMS) analüüsi järeldusi.
Telefon: +86-18069220752(Tina);+86-15988690905(Seerum)
Meil: anny@veteksemi.com