SiC-kattega grafiittiigli deflektor on monokristallahju seadmete põhikomponent, selle ülesandeks on juhtida sulamaterjal tiiglist sujuvalt kristallide kasvutsooni ning tagada monokristallide kasvu kvaliteet ja kuju.Veteki pooljuht võib pakkuda nii grafiit kui ka SiC kattematerjali. Tere tulemast meiega lisateabe saamiseks ühendust võtma.
Vetek Semiconducotr on professionaalne Hiina SIC -i kaetud grafiidiga tiiglite tootja ja tarnija. SIC -i kaetud grafiidiga tiigli deflektor on monokristalliliste ahjude seadmetes ülioluline komponent, mille ülesandeks on sujuv suitmaterjal tiiglist kristallide kasvutsoonist sujuvalt, tagades monokristallide kasvu kvaliteedi ja kuju.
Meie SIC -ga kaetud grafiidiga tiigli deflektori funktsioonid on:
Voolu reguleerimine: see juhib sularäni voolu Czochralski protsessi ajal, tagades sula räni ühtlase jaotumise ja kontrollitud liikumise, et soodustada kristallide kasvu.
Temperatuuri reguleerimine: see aitab reguleerida temperatuuri jaotust sulas ränis, tagades optimaalsed tingimused kristallide kasvuks ja minimeerides temperatuurigradiente, mis võivad mõjutada monokristallilise räni kvaliteeti.
Saastumise vältimine: kontrollides sula räni voolu, aitab see vältida saastumist tiiglist või muudest allikatest, säilitades pooljuhtide jaoks vajaliku kõrge puhtuse.
Stabiilsus: deflektor aitab kaasa kristallide kasvuprotsessi stabiilsusele, vähendades turbulentsi ja soodustades sula räni ühtlast voolu, mis on kristallide ühtlaste omaduste saavutamiseks ülioluline.
Kristallide kasvu hõlbustamine: Sulatatud räni juhtimisel kontrollitud viisil hõlbustab deflektor üksikkristalli kasvu sulast ränist, mis on oluline pooljuhtide tootmisel kasutatavate kvaliteetsete monokristalliliste räni vahvlite tootmiseks.
SIC -kattega grafiidiga tiigli deflektori tooteparameeter
Isostaatilise grafiidi füüsilised omadused
Omand
Ühik
Tüüpiline väärtus
Hulgi tihedus
g/cm³
1.83
Karedus
Hsd
58
Elektrikindlus
μΩ.m
10
Paindetugevus
Mpa
47
Survetugevus
Mpa
103
Tõmbetugevus
Mpa
31
Youngi moodul
GPA
11.8
Soojuspaisumine (CTE)
10-6K-1
4.6
Soojusjuhtivus
W · m-1· K-1
130
Keskmine tera suurus
μm
8-10
Poorsus
%
10
Tuha sisu
ppm
≤10 (pärast puhastamist)
MÄRKUS. Enne kattekihti teeme esimese puhastamise, pärast kattekihti, teise puhastamise.
CVD sic -katte füüsikalised omadused
Omand
Tüüpiline väärtus
Kristallstruktuur
FCC β -faasi polükristalliline, peamiselt (111) orienteeritud
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
Kasutame küpsiseid, et pakkuda teile paremat sirvimiskogemust, analüüsida saidi liiklust ja isikupärastada sisu. Seda saiti kasutades nõustute meie küpsiste kasutamisega. Privaatsuspoliitika