Tooted

Vetek Semiconductori CVD SIC -kattega lagil on suurepärased omadused nagu kõrge temperatuurikindlus, korrosioonikindlus, kõrge karedus ja madal soojuspaisumiskoefitsient, mis teeb sellest pooljuhtde tootmisel ideaalseks materiaalseks valikuks. Hiina juhtiva CVD SIC -kattega lae tootja ja tarnijana ootab Vetek Semiconductor teie konsultatsiooni.

Vetek Semiconductor on Hiinas MOCVD juhitud EPI -osutaja professionaalne tootja. Meie MOCVD LED -i EPI vastuvõtja on mõeldud epitaksiaalsete seadmete nõudmiseks. Selle kõrge soojusjuhtivus, keemiline stabiilsus ja vastupidavus on peamised tegurid stabiilse epitaksiaalse kasvuprotsessi ja pooljuhtide kilede tootmise tagamiseks.

SIC Coating ALD -i vastuvõtja on tugikomponent, mida kasutatakse spetsiaalselt aatomkihi sadestumise (ALD) protsessis. See mängib ALD -seadmetes võtmerolli, tagades ladestumisprotsessi ühtluse ja täpsuse. Usume, et meie ALD Planetry Sisseptoritooted võivad teile pakkuda kvaliteetseid tootelahendusi.

VeTek Semiconductori TaC kattetoru on ränikarbiidi monokristallide eduka kasvu võtmekomponent. Selle kõrge temperatuuritaluvus, keemiline inertsus ja suurepärane jõudlus tagavad kvaliteetsete kristallide tootmise järjepidevate tulemustega. Usaldage meie uuenduslikke lahendusi, et täiustada oma PVT-meetodiga SiC kristallide kasvuprotsessi ja saavutada suurepäraseid tulemusi. Tere tulemast meiega päringusse.

Vetek Semiconductor pakub poorset SIC -keraamilist padrunit, mida kasutatakse laialdaselt vahvlite töötlemise tehnoloogias, ülekandes ja muudes linkides, mis sobivad sidumiseks, kritseldamiseks, plaastrile, poleerimiseks ja muudeks linkideks, lasertöötluseks. Meie poorsel sic-keraamilisel patukil on ülimalt ulatuslik vaakum adsorptsioon, kõrge tasasus ja kõrge puhtus vastavad enamiku pooljuhtide tööstustele.

VeTek Semiconductori CVD SiC-ga kaetud RTP-susseptor teenindab kiirtermilist töötlemist (RTP) ja kiiret termilist lõõmutamist (RTA), mida kasutatakse pooljuhtide valmistamisel. Substraat on töödeldud kõrge puhtusastmega isostaatilisest grafiidist, mille peale sadestatakse tihe CVD ränikarbiidi (SiC) kiht. See konstruktsioon tagab kõrge soojusjuhtivuse, tugeva keemilise inertsuse ja püsiva mõõtmete stabiilsuse korduva kõrge temperatuuriga tsükli korral.