SIC kaetud tihendusrõngas epitaksia jaoks

Ⅰ. Mis on SIC -i kaetud tihendirõngas?

SIC -kattega tihendirõngas (räni karbiidiga kaetud tihendirõngas) on täppis tihenduskomponent, mis on ette nähtud kõrge temperatuuriga, väga söövitava pooljuhtide keskkondade jaoks. Selle tuum on läbi keemilise aurude ladestumise (CVD) või füüsikalise aurude sadestumise (PVD) protsessi, grafiidi- või süsinikmaterjali substraadi pinna, mis on ühtlaselt kaetud kõrge puhtusarja räni karbiidi (SIC) kattekihiga, mõlema substraadi mehaanilise tugevuse ja kõrge perspektiivse tihendi katte moodustumisega.  

Ⅱ. Toote koostis ja põhitehnoloogia  

1. substraadi materjal:

Grafiit- või süsinik-süsinik komposiitmaterjal: Põhimaterjali eeliseks on kõrge soojustakistus (ta talub rohkem kui 2000 ℃) ja madala soojuspaisumise koefitsienti, tagades sellega dimensiooni stabiilsuse ekstreemsetes tingimustes nagu kõrge temperatuur.  

Täpne töötlemisstruktuur: Täpse rõnga kujunduse saab ideaalselt kohandada pooljuhtseadmete õõnsusega, tagades sellega tihenduspinna ja hea õhukindluse tasapinna.  

2. funktsionaalne kattekiht:  

Suur puhtus SIC kattekiht (puhtus ≥99,99%): COAING paksus on tavaliselt 10-50 μm CVD-protsessi kaudu, et moodustada tiheda mittepoorse pinnastruktuuri kiht, andes tihendusrõnga pinnale suurepärase keemilise inertsuse ja mehaanilised omadused.

Ⅲ. SIC -i kaetud tihendusrõnga peamised füüsikalised omadused ja eelised epitaksia jaoks

Veteksemiconi SIC-kattega tihendusrõngad sobivad ideaalselt pooljuhtide epitaksiaprotsesside jaoks, kuna need on suurepärased jõudlus ekstreemsetes tingimustes. Allpool on toote konkreetsed füüsilised omadused:

IV. Põhirakendused pooljuhtide epitaksia töötlemisel  

SIC kaetud tihendusrõnga epitaksia jaoks kasutatakse peamiselt MOCVD -s (metalli orgaaniline keemiline aurude sadestumine) ja MBE (molekulaarkiire epitaksia) ja muudes protsessiseadmetes, konkreetsete funktsioonide hulka kuuluvad:  

1. pooljuhtide reaktsioonikambri õhukindluse kaitse

Meie SIC-kattega tihendusrõngad tagavad, et liidese mõõtmete tolerantsid (tavaliselt ± 0,01 mm) seadmekambriga (nt äärik, alusvõll) on võimalikult väikesed, kohandades rõnga konstruktsiooni. 

Samal ajal on tihendusrõngas täpset töödelda, kasutades CNC -tööpinke, et tagada ühtlane kontaktpinna ümbermõõdu ümber, välistades mikroskoopilised lüngad. See takistab tõhusalt protsessigaaside (nt H₂, NH₃) leket, tagab epitaksiaalse kihi kasvukeskkonna puhtuse ja parandab vahvli saaki.  

Teisest küljest võib hea gaasi tihedus blokeerida ka väliste saasteainete sissetungi (O₂, H₂O), vältides seega tõhusalt epitaksiaalse kihi defekte (näiteks nihestusi, lisandite ebaühtlast dopingut).  

2. kõrge temperatuuriga dünaamiline tihendamise tugi  

Substraadi sünergistliku antformatsiooni põhimõtte vastuvõtmine: grafiidi substraadi madala soojuspaisumise koefitsiendi (CTE ≈ 4,5 × 10- ° C) tõttu on väga väike ja äärmisel kõrgel temperatuuril (＞ 1000 ℃) on see, et see on tõi pinnalt ainult 1/5 metallide pinnast. Koos SIC-katte (HV2500 või enama) ülikerge kõvadusega suudab see tõhusalt takistada tihenduspinna kriimustusi, mis on põhjustatud osakeste mehaanilisest vibratsioonist või mõjust, ning säilitada mikroskoopiline tasasus.

V. Hooldussoovitused

1. Äkilise rikke vältimiseks kontrollige tihendi pinna kulumist (soovitatav on kvartaalne optiline mikroskoobi kontroll).  

2. Kasutage spetsiaalseid puhastusvahendeid (näiteks veevaba etanool) hoiuste eemaldamiseks, keelake mehaaniline lihvimine, et vältida SIC -katte kahjustusi.