Poorsest grafiidist juhtrõngas

Toote peamised eelised

1. Ülikõrge puhtusastme ja madala defektiga garantii

Kasutab 3000 ℃ vaakumkõrgtemperatuuri puhastusprotsessi, et eemaldada sügavalt mittemetallilised lisandid, nagu hapnik ja lämmastik, suurendades toote puhtust ≥ 99,9995%. See kõrvaldab lisanditest põhjustatud kristallide defektid (nt mikrotuubulid, dislokatsioonid) allikast, tagades SiC monokristallide elektriliste omaduste järjepidevuse ja stabiilsuse ning pannes tugeva aluse kvaliteetsele kristallide kasvule.

2. Ülikõrge temperatuuri stabiilsus ja täpne termilise välja reguleerimine

Talub äärmuslikke kõrgeid temperatuure 2200 ℃ argooni või vaakumkeskkonnas, töötades pidevalt ja stabiilselt üle 1000 tunni ilma pehmenemise või deformatsioonita. Tootel on madal soojuspaisumistegur, mis võib tõhusalt vältida termilise pinge põhjustatud materjali pragunemist. See toetab poorsuse (15-30%) gradiendi jaotuse disaini ja optimeerib pooride suurust (10-200 μm) koos CFD (Computational Fluid Dynamics) simulatsioonitehnoloogiaga, kontrollides temperatuuri gradiendi kõikumist ±3 ℃ piires ning parandades oluliselt soojusvälja ühtlust ja kristallide kasvu konsistentsi.

3. Kohandatud kohanemine ja täielik stsenaariumiga rahulolu

• Geomeetrilise kuju kohandamine: suudab täpselt töödelda keerulisi kujundeid, nagu rõngakujulised tünnid ja mitmekihilised varjestused, vastavalt klientide ahju konstruktsioonidele, et saavutada täiuslik sobitamine ja paigaldamine.
• Pinnaprotsessi kohandamine: pakub isikupärastatud pinnatöötlusteenuseid, nagu ülitäpne poleerimine ja spetsiaalsed katted, suurendades oluliselt toote korrosioonikindlust ja kasutusiga.

4. Toimivus on kontrollitud ja tõhusus on täiendatud

• Kui seda kasutatakse PVT SiC kristallimisprotsessis soojusvälja põhikomponendina, on see praktilistes stsenaariumides tõestatud:
• Kristallide kasvukiirus suureneb 15–20% võrreldes traditsiooniliste grafiittoodetega, lühendades oluliselt tootmistsüklit.
• 4-tolliste SiC monokristallvahvlite saagis ületab 90%, vähendades tõhusalt tootmiskulusid.
• Seadmete hooldustsükkel pikeneb tavapäraselt 3 kuult 6 kuuni, vähendades seiskamiste sagedust ja parandades tootmise efektiivsust.
  
  

Rakenduse stsenaariumid

• PVT kasvuahju koost: toimib SiC materjali sublimatsiooni ja kristallide kasvatamise põhikomponendina, tagades stabiilse ja ühtlase soojusvälja jaotuse, et tagada kristallisatsiooniprotsessi sujuv kulg.
• Termovälja varjestuskomponent: ainulaadne poorne struktuur võib tõhusalt puhverdada termilist pinget, vähendada seadmete kulumist ja pikendada seadmete üldist kasutusiga.
• Seemnekristallide tugitarvik: sellel on kõrge mehaaniline tugevus, et toetada seemnekristalle stabiilselt, tagades kristallide suunatud kasvu täpsuse.
• Gaasi difusioonikiht: optimeerib gaasifaasi ülekande efektiivsust, soodustab toorainete ühtlast sublimatsiooni ja ladestumist ning parandab veelgi monokristallide kvaliteeti ja kasvukiirust.

Tehnilised parameetrid

Konkurentsi põhihetked

• Äärmiselt kõrge temperatuuri jõudlus: säilitab konstruktsiooni stabiilsuse temperatuuril 2200 ℃ ilma pehmenemise või deformatsioonita, toetades pidevat tööd üle 1000 tunni, et täita äärmuslikke protsessinõudeid.
• Kohandatud soojusvälja lahendus: tugineb CFD simulatsioonitehnoloogiale, et optimeerida pooride gradiendi kujundust, sobitada täpselt klientide protsessivajadusi ning parandada kristallide ühtlust ja toote saagist.
• Kiirreageerimisteenus: pakub protsessiparameetrite sobitamise testimisteenuseid ja prototüüplahendusi 72 tunni jooksul, aidates klientidel kiirendada uurimis- ja arendustegevust ning tootmisprotsesse.