Veebi menüü

Tooteotsing

Keel

Tehnika ja lahendused

Valikujuhend

Tehnoloogia ja suundumusedLahendusedValikujuhendJuhtumiuuringud
01 CVD SiC, TaC ja tahke SiC toimimispiirid epitaksi- ja söövitusprotsessides
05

01 CVD SiC, TaC ja tahke SiC toimimispiirid epitaksi- ja söövitusprotsessides

Õige CVD SiC, TaC katte või tahke SiC valimine määrab otseselt osakeste taseme ja komponendi eluea epitakseerimis-/söövitusliinidel. See artikkel pakub selgeid valikupiire temperatuuri, atmosfääri ja protsessi järgi, mis on sobitatud peamiste seadmete asendamise lahenduste ja põhinäitajatega, et aidata teil teha kiireid otsuseid ja vähendada riske.
Vaata rohkem
Uudiste soovitused
‌ SIC -kristallide defektide ja puhtuse optimeerimine TAC -kattega
‌ SIC -kristallide defektide ja puhtuse optimeerimine TAC -kattegaVaata rohkem >>
Mis on pooljuhtide epitaksia protsess?
Mis on pooljuhtide epitaksia protsess?Vaata rohkem >>
Põhineb 8-tollisel räni karbiidil ühekristallide kasvu ahjude tehnoloogial
Põhineb 8-tollisel räni karbiidil ühekristallide kasvu ahjude tehnoloogialVaata rohkem >>
Veteksemicon särab 2025. aasta Shanghai SEMICONi rahvusvahelisel näitusel
Veteksemicon särab 2025. aasta Shanghai SEMICONi rahvusvahelisel näituselVaata rohkem >>
Kolm sic -ühekristalli kasvutehnoloogiat
Kolm sic -ühekristalli kasvutehnoloogiatVaata rohkem >>
Mis on Silicon Wafer CMP poleerimispulber?
Mis on Silicon Wafer CMP poleerimispulber?Vaata rohkem >>
X
Kasutame küpsiseid, et pakkuda teile paremat sirvimiskogemust, analüüsida saidi liiklust ja isikupärastada sisu. Seda saiti kasutades nõustute meie küpsiste kasutamisega. Privaatsuspoliitika
KeelduNõustu