Tehnika ja lahendused

Õige CVD SiC, TaC katte või tahke SiC valimine määrab otseselt osakeste taseme ja komponendi eluea epitakseerimis-/söövitusliinidel. See artikkel pakub selgeid valikupiire temperatuuri, atmosfääri ja protsessi järgi, mis on sobitatud peamiste seadmete asendamise lahenduste ja põhinäitajatega, et aidata teil teha kiireid otsuseid ja vähendada riske.

Avastage, kuidas VeTeki vesijuhitav lasertehnoloogia tagab ühtlased Φ0,15 mm läbivad augud 2 mm SiC-substraatides ilma kitsenemiseta, minimaalse HAZ-i ja suure tootlikkusega pooljuhtrakenduste jaoks.

Pooljuhtseadmete õõnsate tõstetihvtide kõige keerulisem tehniline probleem ei ole välispinna kate, vaid õõneskonstruktsiooni siseseina stabiilse ja ühtlase CVD-katte saavutamine. Alates siseseina katte ühtluse kontrollist kuni sisemise ava puhtuse tagamiseni mõjutab iga protsessietapp otseselt vahvli saagist. Selles artiklis analüüsitakse õõnsate tõstetihvtide siseseina katmise põhiprobleeme ja peamisi tehnilisi teid.