4 -tolline isolatsiooni jäik vild - keha

Professionaalse kvaliteetse 4 -tollise isolatsiooni jäiga vildisena - kehatootja, võite olla kindel, et ostate 4 -tollise isolatsiooni jäiga vildi - keha Vetek Semiconductori tehasest.

Isolatsiooni jäik vild on omamoodi komposiitisolatsioonimaterjal, mis on spetsiaalselt loodud kõrge temperatuuriga ekstreemse keskkonna jaoks, süsinikkiu ja süsiniklapi lamineerimise komposiitprotsessi kasutamine koos kõrge temperatuuriga karboniseerimise/graafiliseerimise töötlemise tehnoloogiaga, sellel on ülikõrge puhtus (tuhk ≤10 ppm), suurepärane termiline stabiilsus ja mehaaniline tugevus. Materjal on mõeldud kasutamiseks soojusisolatsioonisüsteemides räni karbiidi (sic) üksikute kristallide kasvu ahjudes, et vastata füüsilise auruülekande (PVT) meetodi nõudlikule termilise välja ühtlusele, temperatuuri gradiendile ja lisandite tõrjenõuetele.

Materiaalsed ja protsessi omadused

Komposiitstruktuur design

Pinna süsinikuriie tugevdus: Spetsiaalse süsinikkiudude ja tihedusega süsiniklapi komposiidi abil pind, mis moodustab tiheda kaitsekihi, takistavad tõhusalt õhupesu ja kiudaineid, vähendavad lisandite vabanemist.

Mitmekihiline integreerimisprotsess: südamikukiht on süsinikkiudude vildist ja grafiidipaber või süsinik riie on manustatud keskele. Pärast sekundaarset kõrge temperatuuri puhastamist (≥2000 ℃) on materjali struktuur tihenenud ja lisandid eemaldatakse sügavalt.

Ülimadala lisandite puhtus

Tuhasisaldus ≤10 ppm, veenduge, et metalliioonid ei ole, SiO₂ ja muid lisandite lendumist kõrge temperatuuriga keskkonnas, vältige kristallide kasvuliidese saastamist, parandades räni karbiidi ühekristallide puhtust ja defektide kontrolli tasemel 19.

Protsessi kohanemisvõime

Kohandatud pinnatöötlused (näiteks grafiidi fooliumikate, antioksüdantkate), mis sobib vaakum- või inertse gaasi (AR, n₂) keskkonna jaoks, töötemperatuurid, mis hõlmavad 1200 ° C kuni 3000 ° C

Põhi jõudluse parameeter

Rakendusväljad ja eelised

Räni karbiidi üksikkristall ahju kuuma välja isolatsioon

Ahju isolatsioonikihi tuumamaterjalina võib see vähendada soojuskaotust, säilitada kasvuliidese temperatuuri gradienti (ΔT≈20-50 ℃/cm) ja tagada, et kristallide aksiaalne/radiaalne kasvukiirus oleks tasakaalus.

Kasutatakse pehme vildusega gradiendi isolatsioonistruktuuri moodustamiseks, soojuspinge vähendamiseks ja soojuvälja eluea pikendamiseks.

Konkurentsieelis

Termiline stabiilsus: madal soojuspaisumise koefitsient (CTE <2 × 10⁻⁶/℃), suurepärane termiline löögikindlus, mis sobib korduvate kasvavate ja jahutustingimuste jaoks.

Majandus: võrreldes traditsioonilise pehme vildiga suurendatakse kasutusaega 3-5 korda, vähendades kuuma välja asendamise ja tootmiskulude sagedust.

Kohandamine: tugisilinder, plaat ja muud töötlemisvormid, mõõtmete täpsus kuni ± 0,5 mm, mis sobib erineva ahju kujundamiseks.

Tüüpiline rakendusjuhtum

Vaakumiga kõrgsurve gaasitava ahi: soojuskilbina vähendage energiatarbimist rohkem kui 20%

Suure suurusega sic kristallide kasv: 8-tolliste kristallide ahjude jaoks, termilise välja ühtluse kõrvalekalle <1,5%