Tantaal

See pooljuhtTantaalkarbiidjuhend Ringon meisterdatudgrafiitjakaetud tantaalkarbiidiga, kombinatsioon, mis kasutab mõlema materjali parimaid omadusi, et tagada parem jõudlus ja pikaealisus.

SelleTAC -kattekihtTantalumi karbiidijuhendil tagab see SIC kristallide kasvu ahjude reaktiivsetes atmosfäärides keemiliselt inert, mis sageli hõlmavad selliseid gaase nagu vesinik, argoon ja lämmastik. See keemiline inerdus on ülioluline kasvava kristalli saastumise vältimiseks, mis võib põhjustada defekte ja vähendada lõplike pooljuhtide toodete jõudlust. Lisaks võimaldab TAC -kattega pakutav termiline stabiilsus Tantalumi karbiidi kattejuhendi rõngal tõhusalt töötada kõrgel temperatuuril vajalikul temperatuurilSIC kristallide kasv, tavaliselt üle 2000 ° C.

Lisaks optimeerib tantaalkarbiidkatte rõnga grafiidi ja TAC kombinatsioon kristallide kasvu ahjus termilist majandamist. Grafiidi kõrge soojusjuhtivus jaotab tõhusalt soojust, hoides ära levialad ja soodustades ühtlast kristallset kasvu. Vahepeal toimib tantaalkarbiidikate termilise barjäärina, kaitstes grafiidi südamikku otsese temperatuuri ja reaktiivse gaasi otsese kokkupuute eest. See südamiku ja kattematerjalide vaheline sünergia annab juhendirõnga, mis mitte ainult ei talu SIC kristallide kasvu karmidele tingimustele, vaid suurendab ka protsessi üldist tõhusust ja kvaliteeti.

Veteki pooljuhtide tantaalkarbiidi mehaanilised omadused vähendavad oluliselt tantalumi karbiidi katte rõnga kulumist. See on ülioluline tänu korduvale olemuselekristallide kasvuprotsess, mis viib juhtrõnga sagedaste soojutsüklite ja mehaaniliste pingeteni. Tantalumi karbiidi kõvadus ja kulumiskindlus

Veteki pooljuhtide tantaalkarbiidkatte juhtringi rõngas on pooljuhtide tööstuses oluline komponent, mis on spetsiaalselt loodudRäni karbiidi kristallid. Selle disain kasutab grafiidi ja tantalumi karbiidi tugevusi, et pakkuda erakordset jõudlust kõrgtemperatuurilistes, kõrge stressiga keskkonnas. TAC-kate tagab keemilise inersuse, mehaanilise vastupidavuse ja termilise stabiilsuse, mis kõik on kvaliteetsete SIC kristallide tootmiseks kriitilise tähtsusega. Säilitades oma terviklikkust ja funktsionaalsust ekstreemsetes tingimustes, toetab juhend SIC-kristallide tõhusat ja defektivaba kasvu, aidates kaasa suure võimsusega ja kõrgsagedusega pooljuhtseadmete edenemisele.

Tantaalkarbiid (TAC) kate mikroskoopilisel ristlõikel:

TAC -katte füüsikalised omadused: