Tooted
CVD SiC-kattega grafiidisusseptor vahvlikandjale
  • CVD SiC-kattega grafiidisusseptor vahvlikandjaleCVD SiC-kattega grafiidisusseptor vahvlikandjale

CVD SiC-kattega grafiidisusseptor vahvlikandjale

VETEK CVD SiC Coated Graphite Susceptor for Wafer Carrier on suure jõudlusega vahvli tugikomponent, mis on loodud pooljuhtide epitaksiprotsesside jaoks. Toode kasutab substraadina kõrge puhtusastmega grafiiti ja on kaetud ühtlase CVD ränikarbiidi (SiC) kihiga, mis tagab suurepärase termilise stabiilsuse, keemilise vastupidavuse ja osakeste kontrolli. Kriitilise grafiidi sustseptori komponendina toetab see vahetult reaktsioonikambris olevaid vahvleid ning aitab säilitada ühtlast temperatuurijaotust ja stabiilseid epitaksiaalseid kasvutingimusi.

1. Toote eelised


  • Kõrge puhtusastmega materjal:Pooljuhtkvaliteediga grafiitmaterjal ja tihe SiC kattestruktuur minimeerivad saastumise riski ja parandavad CVD SiC-ga kaetud grafiidisusseptori töökindlust.
  • Suurepärane termiline ühtlus:Optimeeritud grafiidi struktuur ja SiC kate tagavad stabiilse soojusülekande ja ühtlase vahvli temperatuuri reguleerimise.
  • Suurepärane keemiline vastupidavus:Tihe SiC kate pakub tugevat vastupidavust protsessigaasidele ja söövitavale keskkonnale.
  • Pikk kasutusiga:Kõrge kõvadus ja kulumiskindlus parandavad vastupidavust kõrgel temperatuuril epitaksi tingimustes.
  • Madal osakeste teke:Tihe CVD SiC pind vähendab osakeste eraldumist ja parandab vahvliprotsessi töökindlust.
  • Kohandatud disainivõimalus:Saadaval erinevates suurustes, struktuurides ja konfiguratsioonides vastavalt seadmenõuetele.



2. Tehnilised andmed

Üksus
Tüüpiline väärtus
Substraadi materjal
Kõrge puhtusastmega grafiit
Kattematerjal
CVD ränikarbiid (SiC)
SiC puhtus
≥99,999%
Katte paksus
100 ± 20 μm (kohandatav)
Katte paksus ühtlus
Partiide vahel kontrollitakse 10 μm piires
CVD SiC katte tihedus
3,21 g/cm³
Soojusjuhtivus
300 W/m·K
Soojuspaisumise koefitsient
4,5 × 10⁻⁶/K

3. Rakendused


  • SiC epitaksiprotsess:Grafiitsustseptorit kasutatakse SiC epitaksiseadmetes vahvlikandjana, mis toetab SiC substraate kõrgel temperatuuril epitaksiaalse kasvu ajal.
  • Silicon Epitaxy protsess:Kasutatakse silikoonist epitaksiaalreaktorites vahvlite toetamiseks ja stabiilsete termiliste tingimuste säilitamiseks.
  • MOCVD epitaksia:VETEKi grafiidisustseptorid sobivad MOCVD, LED-epitaksi, GaN-epitaksi, räni epitaksi ja muude pooljuhtide tootmisprotsesside jaoks, mis nõuavad suurepärast termilist ühtlust ja keemilist stabiilsust.
  • Pooljuhtide tootmisseadmed:Ühildub erinevate epitaksiplatvormidega, sealhulgas LPE horisontaalahjud, Aixtron, NuFlare ja nendega seotud pooljuhtseadmed.



4. Miks valida VETEK?

VETEK pakub kohandatud CVD SiC-ga kaetud grafiidisusseptori lahendusi, mis integreerivad grafiidi puhastamise, täppistöötluse, CVD katmise ja kontrollimise võimalused. Meie pooljuhtkvaliteediga grafiidist sustseptortoodetel on kõrge puhtusaste, ühtlane kattekihi paksus, suurepärane termiline jõudlus ja pikk kasutusiga nõudlike vahvlikandjate rakenduste jaoks.

Kuumad sildid: CVD SiC-kattega grafiidisusseptor, grafiidisusseptor, ränidioksiidiga kaetud grafiitvahvelkandja, pooljuht-epitaksia sustseptor, MOCVD-grafiidisusseptor, ränikarbiidi vahvlikandja, CVD ränikarbiidi grafiidisusseptor
Saada päring
Kontaktinfo
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
Kasutame küpsiseid, et pakkuda teile paremat sirvimiskogemust, analüüsida saidi liiklust ja isikupärastada sisu. Seda saiti kasutades nõustute meie küpsiste kasutamisega. Privaatsuspoliitika
KeelduNõustu