Kõrge puhtusastmega SiC pulber ränikarbiidi kristallide kasvatamiseks

1. Põhifunktsioonid

· Kõrge puhtusaste:Puhtusvõime ulatub kuni 99,9999% (klass 6N).

· Ülimadala metallisisaldusega lisandid:Minimeeritud metallijälgede saastumine, optimeeritud SiC kristallide kasvu jaoks.

· Täielik läbipaistvus:Iga partii kohta on saadaval täielikud GDMS-i (glow Discharge Mass Spectrometry) testimisandmed.

· Stabiilne termiline jõudlus:Väga prognoositav ja ühtlane sublimatsiooni käitumine PVT kasvu ajal.

· Kontrollitud osakeste suuruse jaotus:Granulomeetriat jälgitakse hoolikalt, et säilitada ühtlane pakkimistihedus.

· Kohandatud koostised:Soovi korral on saadaval kohandatud osakeste suurused ja jaotuskõverad.

· Pooljuhtide kvaliteedistandard:Toodetud rangelt pooljuhtklassi kvaliteedijuhtimissüsteemide alusel.

2. Toote visuaalid

3. Tehnilised andmed

4. Rakendused

· PVT SiC kristalli kasv:Juhtivad ja poolisoleerivad SiC valuplokid.

· Pooljuhtpõhimikud:Vahvli substraat ja epitaksiaalse töötlemise tooraine.

· Tipptasemel termilised komponendid:Täiustatud keraamilised komponendid ja sustseptori katted.

· Teadus- ja arendustegevuse rakendused:Järgmise põlvkonna jõuelektroonika uuringud ja kõrgsagedusseadmed.

5. Miks valida VeTek Semiconductor?

· Patenditud puhastus:Täiustatud puhastustehnikad, mis tagavad kuni 6N puhtuse ühe kristalli kasvatamiseks.

· Range kvaliteedikontroll:Spetsiaalne kvaliteedi tagamine koos range pooljuhtkvaliteediga saastekontrolliga.

· Kohandamise paindlikkus:Paindlik kohandatud osakeste suurus, mis sobib erinevate PVT-ahjutiigli spetsifikatsioonidega.

· Stabiilne tarneahel:Usaldusväärne tarnevõimsus, mis tagab stabiilse pikaajalise masstoodangu tarnimise.

· Tehniline ekspertiis:Täielik tehniline tugi, mis on kohandatud teie konkreetsetele kristallide kasvuprotsessidele.