Vetek Semiconductor on Hiinas juhtiv puhtusarja SIC Consilever Aeru toote juhtiv tootja ja tarnija. SIC -i konsoolide kõrge puhtuse aerusid kasutatakse pooljuhtide difusiooniahjudes tavaliselt vahvli ülekandmise või laadimisplatvormidena.
Kõrge puhtus SIC Cantilever aeru on võtmekomponent, mida kasutatakse pooljuhtide töötlemisseadmetes. Toode on valmistatud kõrge puhtusega räni karbiidi (sic) materjalist. Kliendid saavad vabalt valida paagutatud SIC -materjali või ümberkristalleeritud sic -materjali. Suure puhtuse, kõrge termilise stabiilsuse ja korrosioonikindluse suurepäraste omaduste abil kasutatakse seda laialdaselt sellistes protsessides nagu vahvli ülekandmine, tugi ja kõrgtemperatuuri töötlemine, pakkudes usaldusväärset garantiid protsesside täpsuse ja toote kvaliteedi tagamiseks.
Kõrge puhtus SIC Cantilever Aeru mängib pooljuhtide töötlemisprotsessis järgmisi konkreetseid rolle:
Vahvliülekanne: Kõrge puhtusega konsoolide aeru kasutatakse tavaliselt vahvliülekande seadmena kõrgtemperatuuriliste difusioonide või oksüdatsiooni ahjudes. Selle kõrge karedus muudab selle kulumiskindlaks ja seda pole pikaajalise kasutamise ajal kerge deformeeruda ning suudab tagada, et vahvel püsib ülekandeprotsessi ajal täpselt. Koos oma kõrge temperatuuri ja korrosioonikindlusega saab see vahvleid ohutult ahjutorust sisse ja välja kanda kõrgete temperatuuride keskkonnas, põhjustamata vahvlite saastumist ega kahjustusi.
Vahvli toetamine: SIC -materjalil on madal soojuspaisumistegur, mis tähendab, et temperatuuri muutumisel muutub selle suurus vähem, mis aitab säilitada protsessis täpset kontrolli. Keemiliste aurude ladestumise (CVD) või füüsikalise aurude sadestamise (PVD) protsessides kasutatakse vahvli toetamiseks ja kinnitamiseks SIC -i konsooli aeru, et veenduda, et vahvli püsib sadestumisprotsessi ajal stabiilseks ja tasaseks, parandades seeläbi filmi ühtlust ja kvaliteeti.
Kõrgete temperatuuride rakendamine: SIC konsooli aerul on suurepärane termiline stabiilsus ja ta talub temperatuuri kuni 1600 ° C. Seetõttu kasutatakse seda toodet laialdaselt kõrge temperatuuri lõõmutamisel, oksüdatsioonil, difusioonil ja muudel protsessidel.
Kõrge puhtusega sic konsooli aeru põhilised füüsikalised omadused:
Paagutatud räni karbiidi füüsikalised omadused
Omand
Tüüpiline väärtus
Keemiline koostis
Sic> 95% , Ja <5%
Hulgi tihedus
> 3.07 g/cm³
Näiv poorsus
<0,1%
Rebenemismoodul 20 ℃ juures
270 MPa
Rebenemismoodul 1200 ℃ juures
290 MPa
Kõvadus kell 20 ℃
2400 kg/mm²
Luumurdude sitkus 20% juures
3,3 MPa · M1/2
Soojusjuhtivus 1200 ℃ juures
45 W/M.K
Soojuspaisumine temperatuuril 20-1200 ℃
4,5 × 10-6/℃
Maksimaalne töötemperatuur
1400 ℃
Termiline šokk vastupidavus 1200 ℃ juures
Hea
Ränikarbiidi ümberkristalliseeritud füüsikalised omadused
Omand
Tüüpiline väärtus
Töötemperatuur (° C)
1600 ° C (hapnikuga), 1700 ° C (vähendav keskkond)
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
Kasutame küpsiseid, et pakkuda teile paremat sirvimiskogemust, analüüsida saidi liiklust ja isikupärastada sisu. Seda saiti kasutades nõustute meie küpsiste kasutamisega. Privaatsuspoliitika