SiC Edge Ring

In the field of semiconductor manufacturing, SiC edge rings, as core components of wafer processing equipment, are revolutionizing the industrial landscape with their material properties. Räni karbiidi üksikkristallidest valmistatud täpsuskomponendi väärtus ei seisne mitte ainult kõrgtehnoloogiasisalduses, vaid ka saagikuse ja töökulude optimeerimisel, mida see võib kiibitootjatele tuua.

SiC Edge Ring Structural Characteristics

Ränikarbiidi servarõngad on pooljuhtide söövitusseadmetes peamised tarbekomponendid ja on valmistatud kõrge puhtusega räni karbiidimaterjalidest, mis on valmistatud keemilise aurude ladestumise (CVD) meetodil. Selle rõngakujulise struktuuri läbimõõt on tavaliselt 200–450 mm ja paksust kontrollitakse 5-15 mm kaugusel, millel on järgmised omadused:

1.Extreme tolerance: Can withstand a high-temperature environment of 1500℃

2. Plasma stability: Dielectric constant 9.7, breakdown voltage 3MV/cm

3. Geometric accuracy: Roundness error ≤0.05mm, surface roughness Ra<0.2μm

Läbimurre tootmisprotsessis

The modern preparation process adopts a three-stage method:

1. Matrix forming: Isostatic pressing forming ensures uniform density

2. High-temperature sintering: Densification treatment in an inert atmosphere at 2100℃

3. Surface modification: Nanoscale protective layers are formed through reactive ion etching (RIE). Viimased uuringud näitavad, et 3% booriga leotatud räni karbiidi servarõngaste kasutusaega suurendatakse 40% ja vahvli saastumise määr väheneb 0,01 ppm tasemele

Rakenduse stsenaariumid

It shows irreplaceability in processes below 5nm:

2. Etching uniformity: It can maintain an etching rate deviation of ±1.5% at the wafer edge

3. Pollution control: It reduces metal pollution by 92% compared with traditional quartz materials

4. Maintenance cycle: It can operate continuously for 1500 hours in CF4/O2 plasma

Veteksemicon have achieved a breakthrough in the domestic production of sic edge rings, which can save a lot of cost expenditures. Welcome to contact us at any time!